Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHG33N65E-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3857974SIHG33N65E-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHG33N65E-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$8.13
10+
$7.313
100+
$6.013
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHG33N65E-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIHG33N65E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247AC
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 16.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    313W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    SIHG33N65E-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    20 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4040pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    173nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    650V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    32.4A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHG33N65E-GE3" seotud tooted.
SIHG33N60E-E3

SIHG33N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG47N60EF-GE3

SIHG47N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG460B-GE3

SIHG460B-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG44N65EF-GE3

SIHG44N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG40N60E-GE3

SIHG40N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG33N65EF-GE3

SIHG33N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG47N60E-GE3

SIHG47N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG32N50D-GE3

SIHG32N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG32N50D-E3

SIHG32N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG28N65EF-GE3

SIHG28N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG35N60E-GE3

SIHG35N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG47N60AEL-GE3

SIHG47N60AEL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG30N60E-E3

SIHG30N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG30N60AEL-GE3

SIHG30N60AEL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.