Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHJ10N60E-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
472417SIHJ10N60E-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHJ10N60E-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.37
10+
$3.04
100+
$2.443
500+
$1.90
1000+
$1.574
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHJ10N60E-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIHJ10N60E-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    89W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-PowerTDFN
  • Muud nimed
    SIHJ10N60E-T1-GE3CT
    SIHJ10N60E-T1-GE3CT-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    784pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 10A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHJ10N60E-T1-GE3" seotud tooted.
SIHJ8N60E-T1-GE3

SIHJ8N60E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHH24N65E-T1-GE3

SIHH24N65E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHH26N60EF-T1-GE3

SIHH26N60EF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHH21N60E-T1-GE3

SIHH21N60E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP10N40D-GE3

SIHP10N40D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHH21N65EF-T1-GE3

SIHH21N65EF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHH21N60EF-T1-GE3

SIHH21N60EF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHH24N65EF-T1-GE3

SIHH24N65EF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHH21N65E-T1-GE3

SIHH21N65E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP10N40D-E3

SIHP10N40D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP12N50C-E3

SIHP12N50C-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP11N80E-GE3

SIHP11N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHH26N60E-T1-GE3

SIHH26N60E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHJ6N65E-T1-GE3

SIHJ6N65E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.