Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIJ470DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1288260SIJ470DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIJ470DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.757
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIJ470DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIJ470DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    ThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.1 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5W (Ta), 56.8W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIJ470DP-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2050pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    7.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 58.8A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    58.8A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIJ470DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
APT12F60K

APT12F60K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4842BDY-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF9317PBF

IRF9317PBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 16A 8-SO

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF9540NSTRR

IRF9540NSTRR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FDS6679AZ

FDS6679AZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.