Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIJA58DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5010959SIJA58DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIJA58DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.472
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIJA58DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIJA58DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.65 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    27.7W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIJA58DP-T1-GE3-ND
    SIJA58DP-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3750pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 60A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIJA58DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1046R-T1-GE3

SI1046R-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AO4421L

AO4421L

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BS107PSTOA

BS107PSTOA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IXFN39N90

IXFN39N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
NTD14N03R-001

NTD14N03R-001

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.