Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR606BDP-T1-RE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6608844SIR606BDP-T1-RE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR606BDP-T1-RE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.676
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR606BDP-T1-RE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR606BDP-T1-RE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17.4 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR606BDP-T1-RE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1470pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    7.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10.9A (Ta), 38.7A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR606BDP-T1-RE3" seotud tooted.
SIR638DP-T1-GE3

SIR638DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR474DP-T1-RE3

SIR474DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR632DP-T1-RE3

SIR632DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR484DP-T1-GE3

SIR484DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR496DP-T1-GE3

SIR496DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR494DP-T1-GE3

SIR494DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR472ADP-T1-GE3

SIR472ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR472DP-T1-GE3

SIR472DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR476DP-T1-GE3

SIR476DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR492DP-T1-GE3

SIR492DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR474DP-T1-GE3

SIR474DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR482DP-T1-GE3

SIR482DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.