Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR870ADP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5859907SIR870ADP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR870ADP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.48
10+
$2.239
100+
$1.799
500+
$1.399
1000+
$1.159
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR870ADP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR870ADP-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.6 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR870ADP-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2866pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR870ADP-T1-GE3" seotud tooted.
SIR844DP-T1-GE3

SIR844DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR876DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR866DP-T1-GE3

SIR866DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR840DP-T1-GE3

SIR840DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR864DP-T1-GE3

SIR864DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR876ADP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR874DP-T1-GE3

SIR874DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR870ADP-T1-RE3

SIR870ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR846ADP-T1-RE3

SIR846ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR846DP-T1-GE3

SIR846DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR846ADP-T1-GE3

SIR846ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR862DP-T1-GE3

SIR862DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR872DP-T1-GE3

SIR872DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.