Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIRA54DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4229285SIRA54DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIRA54DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.55
10+
$1.373
100+
$1.085
500+
$0.842
1000+
$0.665
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIRA54DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIRA54DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.35 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    36.7W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIRA54DP-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    5300pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 60A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIRA54DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA72DP-T1-GE3

SIRA72DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA64DP-T1-GE3

SIRA64DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA80DP-T1-RE3

SIRA80DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA64DP-T1-RE3

SIRA64DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA66DP-T1-GE3

SIRA66DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA52DP-T1-RE3

SIRA52DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.