Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIRC04DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2155304SIRC04DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIRC04DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.832
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIRC04DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIRC04DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.45 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    50W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIRC04DP-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2850pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    Schottky Diode (Body)
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 60A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIRC04DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIRA64DP-T1-GE3

SIRA64DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA66DP-T1-GE3

SIRA66DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRC18DP-T1-GE3

SIRC18DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRC16DP-T1-GE3

SIRC16DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA64DP-T1-RE3

SIRA64DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRC10DP-T1-GE3

SIRC10DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA88DP-T1-GE3

SIRA88DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 45.5A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA80DP-T1-RE3

SIRA80DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA90DP-T1-RE3

SIRA90DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRB40DP-T1-GE3

SIRB40DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA96DP-T1-GE3

SIRA96DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRC06DP-T1-GE3

SIRC06DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA90DP-T1-GE3

SIRA90DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA62DP-T1-RE3

SIRA62DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA72DP-T1-GE3

SIRA72DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA58DP-T1-GE3

SIRA58DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.