Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIS447DN-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

6440538

SIS447DN-T1-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS447DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.394

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SIS447DN-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212
Lead Free status / RoHS staatus
Andmelehed

SIS447DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (max)

±12V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® 1212-8
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1 mOhm @ 20A, 10V
Voolukatkestus (max)

52W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

PowerPAK® 1212-8
Muud nimed

SIS447DN-T1-GE3-ND
SIS447DN-T1-GE3TR
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

5590pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

181nC @ 10V
FET tüüp

P-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

2.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

20V
Täpsem kirjeldus

P-Channel 20V 18A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SIS447DN-T1-GE3" seotud tooted.

SIS456DN-T1-GE3

SIS456DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS472ADN-T1-GE3

SIS472ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS454DN-T1-GE3

SIS454DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS468DN-T1-GE3

SIS468DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.