Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SISS71DN-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6966724SISS71DN-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SISS71DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.33
10+
$1.175
100+
$0.929
500+
$0.72
1000+
$0.569
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SISS71DN-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SISS71DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Seeria
    ThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    59 mOhm @ 5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    57W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-PowerVDFN
  • Muud nimed
    SISS71DN-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1050pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 100V 23A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SISS71DN-T1-GE3" seotud tooted.
SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 125V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISNAP915EK

SISNAP915EK

Kirjeldus: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Kirjeldus: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.