Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIUD412ED-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1633734SIUD412ED-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIUD412ED-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.46
10+
$0.42
100+
$0.236
500+
$0.126
1000+
$0.086
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIUD412ED-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIUD412ED-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±5V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 0806
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    340 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    1.25W (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    PowerPAK® 0806
  • Muud nimed
    SIUD412ED-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    21pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.71nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.2V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    12V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 12V 500mA (Tc) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    500mA (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIUD412ED-T1-GE3" seotud tooted.
IXTK140N20P

IXTK140N20P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 140A TO-264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
SI6465DQ-T1-E3

SI6465DQ-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BUK954R4-40B,127

BUK954R4-40B,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
AUIRFR8401

AUIRFR8401

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
TSM2308CX RFG

TSM2308CX RFG

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SBSS84LT1G

SBSS84LT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BUK626R2-40C,118

BUK626R2-40C,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
FQI5N40TU

FQI5N40TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQU1N80TU

FQU1N80TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
AON6782

AON6782

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IPA50R500CE

IPA50R500CE

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIUD402ED-T1-GE3

SIUD402ED-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BSD816SNH6327XTSA1

BSD816SNH6327XTSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIUD403ED-T1-GE3

SIUD403ED-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IXTA220N075T7

IXTA220N075T7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FDB86360-F085

FDB86360-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.