Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQ2361EES-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6203155

SQ2361EES-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQ2361EES-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SQ2361EES-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    SQ2361EES-T1-GE3TR
    SQ2361EEST1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    545pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 60V 2.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQ2361EES-T1-GE3" seotud tooted.
SQ2403PG12RTN

SQ2403PG12RTN

Kirjeldus: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Tootjad: Laird Technologies - Antennas
Laos
RFQ
SQ2362ES-T1_GE3

SQ2362ES-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2360EES-T1-GE3

SQ2360EES-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2361ES-T1_GE3

SQ2361ES-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2403PFTNF

SQ2403PFTNF

Kirjeldus: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM

Tootjad: Laird Technologies - Antennas
Laos
RFQ
SQ2319ES-T1-GE3

SQ2319ES-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2389ES-T1_GE3

SQ2389ES-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V SO23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2403PG36RSM

SQ2403PG36RSM

Kirjeldus: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Tootjad: Laird Technologies - Antennas
Laos
RFQ
SQ2318AES-T1_GE3

SQ2318AES-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2348ES-T1_GE3

SQ2348ES-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8A SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 60V SOT-23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2361AEES-T1_GE3

SQ2361AEES-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2403PG36RTN

SQ2403PG36RTN

Kirjeldus: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Tootjad: Laird Technologies - Antennas
Laos
RFQ
SQ2337ES-T1_GE3

SQ2337ES-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 80V SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2398ES-T1_GE3

SQ2398ES-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2355

SQ2355

Kirjeldus: BIT POWER SQUARE #2 3.5"

Tootjad: Klein Tools
Laos
RFQ
SQ2325ES-T1_GE3

SQ2325ES-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2351ES-T1_GE3

SQ2351ES-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 20V SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQ2403PG12NF

SQ2403PG12NF

Kirjeldus: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

Tootjad: Laird Technologies - Antennas
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.