Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQA401EEJ-T1_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5760645SQA401EEJ-T1_GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SQA401EEJ-T1_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.203
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQA401EEJ-T1_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CHAN 20V POWERPAK SC-70
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SQA401EEJ-T1_GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    113 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    13.6W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SC-70-6
  • Muud nimed
    SQA401EEJ-T1_GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    375pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.3nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 20V 2.68A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.68A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQA401EEJ-T1_GE3" seotud tooted.
SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
STP26N60M2

STP26N60M2

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
SQA000001

SQA000001

Kirjeldus: OSCILLATOR XO 100MHZ HCSL SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IRLR3717TRPBF

IRLR3717TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 120A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FQP5N30

FQP5N30

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 5.4A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF7422D2TRPBF

IRF7422D2TRPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SQA470EEJ-T1_GE3

SQA470EEJ-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQA442EJ-T1_GE3

SQA442EJ-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IXTQ44P15T

IXTQ44P15T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
LND01K1-G

LND01K1-G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

Tootjad: Micrel / Microchip Technology
Laos
RFQ
SQA401EJ-T1_GE3

SQA401EJ-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SUD80460E-GE3

SUD80460E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQA000002

SQA000002

Kirjeldus: OSC XO 100.000MHZ HCSL SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SQA410EJ-T1_GE3

SQA410EJ-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQA403EJ-T1_GE3

SQA403EJ-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF5210L

IRF5210L

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 40A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
DMPH4015SK3-13

DMPH4015SK3-13

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SQA470EJ-T1_GE3

SQA470EJ-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.25A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NTR5198NLT1G

NTR5198NLT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SQA405EJ-T1_GE3

SQA405EJ-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.