Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQD40N06-14L_GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

5976054

SQD40N06-14L_GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD40N06-14L_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

1+

$1.83

10+

$1.657

100+

$1.331

500+

$1.035

1000+

$0.858

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SQD40N06-14L_GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 60V 40A
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SQD40N06-14L_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

TO-252AA
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 20A, 10V
Voolukatkestus (max)

75W (Tc)
Pakend

Cut Tape (CT)
Pakett / kott

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muud nimed

SQD40N06-14L_GE3CT
Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

2105pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

60V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 60V 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SQD40N06-14L_GE3" seotud tooted.

SQD40031EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40061EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD25N06-22L_GE3

SQD25N06-22L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 25A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40131EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD25N15-52_GE3

SQD25N15-52_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 25A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40030E_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD25N06-22L_T4GE3

SQD25N06-22L_T4GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40N06-25L-GE3

SQD40N06-25L-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 30A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40081EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.