Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQJA90EP-T1_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3819216SQJA90EP-T1_GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJA90EP-T1_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.44
10+
$1.278
100+
$1.01
500+
$0.783
1000+
$0.618
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQJA90EP-T1_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SQJA90EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    68W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SQJA90EP-T1_GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3500pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    80V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 80V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQJA90EP-T1_GE3" seotud tooted.
SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA96EP-T1_GE3

SQJA96EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 30A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA88EP-T1_GE3

SQJA88EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA84EP-T1_GE3

SQJA84EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA94EP-T1_GE3

SQJA94EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA70EP-T1_GE3

SQJA70EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 14.7A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA64EP-T1_GE3

SQJA64EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 15A POWERPAKSOL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA86EP-T1_GE3

SQJA86EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 30A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA80EP-T1_GE3

SQJA80EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA68EP-T1_GE3

SQJA68EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 14A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA76EP-T1_GE3

SQJA76EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA82EP-T1_GE3

SQJA82EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA72EP-T1_GE3

SQJA72EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJA92EP-T1_GE3

SQJA92EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 57A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.