Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SUB75P03-07-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3428464SUB75P03-07-E3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SUB75P03-07-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$5.01
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SUB75P03-07-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SUB75P03-07-E3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263 (D2Pak)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7 mOhm @ 30A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.75W (Ta), 187W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    SUB75P03-07-E3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    9000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    240nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 75A (Tc) 3.75W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    75A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SUB75P03-07-E3" seotud tooted.
SUB10693R

SUB10693R

Kirjeldus: POWER SUPPLY CODING KEY

Tootjad: Birtcher / Pentair
Laos
RFQ
SUB-GRF1-04-S

SUB-GRF1-04-S

Kirjeldus: RF CABLE JACK

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
DMP2123LQ-13

DMP2123LQ-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SUB16396

SUB16396

Kirjeldus: ACCY SUB MISC SHOCK SPRING

Tootjad: Laird Technologies - Antennas
Laos
RFQ
DMP213DUFA-7B

DMP213DUFA-7B

Kirjeldus: MOSFET P-CH 25V 0.145A SOT-26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SPP02N80C3XKSA1

SPP02N80C3XKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
AO4482L_102

AO4482L_102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
JANTXV2N7228

JANTXV2N7228

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
IXFK32N80Q3

IXFK32N80Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 32A TO-264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
SIHP28N65E-GE3

SIHP28N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFR1010ZPBF

IRFR1010ZPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Tootjad: Infineon Technologies
Laos
RFQ
STS17NH3LL

STS17NH3LL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRFHM831TRPBF

IRFHM831TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14A PQFN

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
BFL4001-1E

BFL4001-1E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 4.1A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SUBARCTICBDEVZCZ

SUBARCTICBDEVZCZ

Kirjeldus: EVAL BOARD FOR SUBARCTIC

Tootjad: Luminary Micro / Texas Instruments
Laos
RFQ
JANTXV2N6898

JANTXV2N6898

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
SUBF2030

SUBF2030

Kirjeldus: EXTERNAL BATTERY FRAME SELECT

Tootjad: Tripp Lite
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.