Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > US1G-M3/5AT
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3711473US1G-M3/5AT piltElectro-Films (EFI) / Vishay

US1G-M3/5AT

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
15000+
$0.081
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    US1G-M3/5AT
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1V @ 1A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    400V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 400V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
US1G/1

US1G/1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
US1G-13-F

US1G-13-F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
US1G M2G

US1G M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
US1G-M3/61T

US1G-M3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
US1GHM2G

US1GHM2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
US1G R3G

US1G R3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
US1G-TP

US1G-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
US1DHR3G

US1DHR3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
US1G-E3/5AT

US1G-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
US1DWF-7

US1DWF-7

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123F

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
US1FFA

US1FFA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 1A SOD123FA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
US1GHR3G

US1GHR3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
US1DHM2G

US1DHM2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
US1G-E3/61T

US1G-E3/61T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
US1GFA

US1GFA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
US1G-13

US1G-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi