Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > RF / IF ja RFID > RF transiiveri mikrosüsteemid > SI1026-A-GM
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3440609SI1026-A-GM piltEnergy Micro (Silicon Labs)

SI1026-A-GM

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI1026-A-GM
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - varustus
    1.8 V ~ 3.8 V
  • Tüüp
    TxRx + MCU
  • Seeria
    -
  • Jadaliidesed
    I²C, SPI, UART
  • Tundlikkus
    -121dBm
  • RF perekond / standard
    General ISM < 1GHz
  • Protokoll
    EZRadioPro
  • Võimsus
    13dBm (Max)
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    85-VFLGA Exposed Pad
  • Muud nimed
    336-2179
    SI1026AGM
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Modulatsioon
    FSK, GFSK, OOK
  • Mälu suurus
    32kB Flash, 8.5kB RAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • GPIO
    53
  • Sagedus
    240MHz ~ 960MHz
  • Täpsem kirjeldus
    IC RF TxRx + MCU General ISM
  • Andmeedastuskiirus (max)
    256kbps
  • Praegune - edastamine
    17mA ~ 30mA
  • Praegune - vastuvõtmine
    18.5mA
SI1025-B-GMR

SI1025-B-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1025X-T1-E3

SI1025X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI1027-A-GMR

SI1027-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1025-B-GM3R

SI1025-B-GM3R

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1027-A-GM

SI1027-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1026-A-GMR

SI1026-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1025-B-GM3

SI1025-B-GM3

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1026-B-GM3

SI1026-B-GM3

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1027-B-GM

SI1027-B-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1026-B-GM

SI1026-B-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1026-B-GMR

SI1026-B-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1026X-T1-E3

SI1026X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI1024X-T1-E3

SI1024X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI1024X-T1-GE3

SI1024X-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI1025-A-GMR

SI1025-A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1026-B-GM3R

SI1026-B-GM3R

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1025-B-GM

SI1025-B-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI1025-A-GM

SI1025-A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi