Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Kell / ajastus - kellageneraatorid, PLL-d, sagedus > SI5332H-D-GM3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1519194

SI5332H-D-GM3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$10.30
25+
$9.391
100+
$8.482
1000+
$7.573
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI5332H-D-GM3
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - varustus
    1.71 V ~ 3.63 V
  • Tüüp
    Clock Generator
  • Pakkuja seadme pakett
    48-QFN (6x6)
  • Seeria
    MultiSynth™
  • Suhe - sisend: väljund
    3:12
  • Pakett / kott
    48-TFQFN Exposed Pad
  • PLL
    Yes
  • Väljund
    HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
  • Muud nimed
    336-5571
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C
  • Ahelate arv
    1
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    4 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisend
    LVCMOS, Crystal
  • Sagedus - maks
    200MHz
  • Divider / kordaja
    Yes/No
  • Diferentsiaal - sisend: väljund
    Yes/Yes
SI53341-B-GM

SI53341-B-GM

Kirjeldus: 2:4 LVDS BUFFER (200MHZ), 2:1 LV

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI53343-B-GM

SI53343-B-GM

Kirjeldus: 2:6 LVDS BUFFER (200MHZ), 2:1 LV

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI5332G-D-GM3

SI5332G-D-GM3

Kirjeldus: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 1

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI53341-B-GMR

SI53341-B-GMR

Kirjeldus: 2:4 LVDS BUFFER (200MHZ), 2:1 LV

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI5332G-D-GM2

SI5332G-D-GM2

Kirjeldus: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 8

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI5332H-D-GM2

SI5332H-D-GM2

Kirjeldus: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI5332G-D-GM1

SI5332G-D-GM1

Kirjeldus: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 6

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI5332F-D-GM2

SI5332F-D-GM2

Kirjeldus: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 8

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI53340-B-GM

SI53340-B-GM

Kirjeldus: IC BUFFER 2:4 LVDS MUX 16QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI53343-B-GMR

SI53343-B-GMR

Kirjeldus: 2:6 LVDS BUFFER (200MHZ), 2:1 LV

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI5332H-D-GM1

SI5332H-D-GM1

Kirjeldus: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI53342-B-GM

SI53342-B-GM

Kirjeldus: 2:6 LVDS BUFFER (1.25GHZ), 2:1 I

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI5332E-D-GM2

SI5332E-D-GM2

Kirjeldus: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI5332E-D-GM3

SI5332E-D-GM3

Kirjeldus: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI53342-B-GMR

SI53342-B-GMR

Kirjeldus: 2:6 LVDS BUFFER (1.25GHZ), 2:1 I

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI53340-B-GMR

SI53340-B-GMR

Kirjeldus: IC CLK BUFFER 2:4 LVDS 16QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI5332F-D-GM1

SI5332F-D-GM1

Kirjeldus: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 6

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI5332F-D-GM3

SI5332F-D-GM3

Kirjeldus: BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 1

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI53344-B-GM

SI53344-B-GM

Kirjeldus: 2:10 LVDS BUFFER (1.25GHZ), 2:1

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI53344-B-GMR

SI53344-B-GMR

Kirjeldus: 2:10 LVDS BUFFER (1.25GHZ), 2:1

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi