Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Isolaatorid > Isolaatorid - väravadraiverid > SI8261BAD-C-IM
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6375848SI8261BAD-C-IM piltEnergy Micro (Silicon Labs)

SI8261BAD-C-IM

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI8261BAD-C-IM
  • Tootja / bränd
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI8261BAD-C-IM.pdf
  • Pinge - varustus
    6.5 V ~ 30 V
  • Pinge - isolatsioon
    5000Vrms
  • Pinge - edasi (Vf) (tüüp)
    2.8V (Max)
  • Tehnoloogia
    Capacitive Coupling
  • Pakkuja seadme pakett
    8-LGA (10x12.5)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q100
  • Tõusu / languse aeg (tüüp)
    5.5ns, 8.5ns
  • Impulsi laiuse moonutus (max)
    28ns
  • Paljundamise viivitus tpLH / tpHL (max)
    60ns, 50ns
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    8-VELGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 125°C
  • Kanalite arv
    1
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 8-LGA (10x12.5)
  • Praegune - Peak väljund
    4A
  • Praegune - väljund kõrge, madal
    500mA, 1.2A
  • Praegune - DC edasi (kui) (max)
    30mA
  • Ühine seisund Transientne immuunsus (min)
    35kV/µs
  • Kinnitused
    CQC, CSA, UR, VDE

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI8261BAD-C-IM" seotud tooted.
SI8261BBC-C-IP

SI8261BBC-C-IP

Kirjeldus: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BAA-C-IS

SI8261BAA-C-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BAC-C-IP

SI8261BAC-C-IP

Kirjeldus: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BAC-C-IPR

SI8261BAC-C-IPR

Kirjeldus: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BBD-C-IM

SI8261BBD-C-IM

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BAC-C-ISR

SI8261BAC-C-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BAD-C-ISR

SI8261BAD-C-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BBC-C-IS

SI8261BBC-C-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BAA-C-ISR

SI8261BAA-C-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261ACD-C-IS

SI8261ACD-C-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261ACD-C-IM

SI8261ACD-C-IM

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BAC-C-IS

SI8261BAC-C-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BBC-C-IPR

SI8261BBC-C-IPR

Kirjeldus: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BAD-C-IMR

SI8261BAD-C-IMR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261ACD-C-ISR

SI8261ACD-C-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BBA-C-IS

SI8261BBA-C-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261ACD-C-IMR

SI8261ACD-C-IMR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BAD-C-IS

SI8261BAD-C-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BBA-C-ISR

SI8261BBA-C-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 1CH GATE DRIVER

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8261BBC-C-ISR

SI8261BBC-C-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.