Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GA03JT12-247
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
797996GA03JT12-247 piltGeneSiC Semiconductor

GA03JT12-247

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GA03JT12-247
  • Tootja / bränd
    GeneSiC Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GA03JT12-247.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (max)
    -
  • Tehnoloogia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247AB
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    460 mOhm @ 3A
  • Voolukatkestus (max)
    15W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    1242-1164
    GA03JT12247
  • Töötemperatuur
    175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • FET tüüp
    -
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    -
  • Vooluallikas (Vdss)
    1200V
  • Täpsem kirjeldus
    1200V 3A (Tc) (95°C) 15W (Tc) Through Hole TO-247AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc) (95°C)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "GA03JT12-247" seotud tooted.
GA0402A100JXBAC31G

GA0402A100JXBAC31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA01PNS150-220

GA01PNS150-220

Kirjeldus: DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
GA0402A100GXAAC31G

GA0402A100GXAAC31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100GXXAC31G

GA0402A100GXXAC31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100JXAAP31G

GA0402A100JXAAP31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100JXXAC31G

GA0402A100JXXAC31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA03IDDJT30-FR4

GA03IDDJT30-FR4

Kirjeldus: BOARD GATE DRIVER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
GA0402A100FXBAP31G

GA0402A100FXBAP31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100KXAAC31G

GA0402A100KXAAC31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100JXXAP31G

GA0402A100JXXAP31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100FXAAP31G

GA0402A100FXAAP31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100FXXAP31G

GA0402A100FXXAP31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100JXBAP31G

GA0402A100JXBAP31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA01PNS80-220

GA01PNS80-220

Kirjeldus: DIODE SILICON CARBIDE 8KV

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
GA0381M

GA0381M

Kirjeldus: SPEAKER 8OHM 200MW TOP PORT 79DB

Tootjad: CUI, Inc.
Laos
RFQ
GA0402A100GXAAP31G

GA0402A100GXAAP31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100GXBAP31G

GA0402A100GXBAP31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100GXXAP31G

GA0402A100GXXAP31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100GXBAC31G

GA0402A100GXBAC31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA0402A100JXAAC31G

GA0402A100JXAAC31G

Kirjeldus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.