Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GA16JT17-247
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4116040GA16JT17-247 piltGeneSiC Semiconductor

GA16JT17-247

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GA16JT17-247
  • Tootja / bränd
    GeneSiC Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GA16JT17-247.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (max)
    -
  • Tehnoloogia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247AB
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 16A
  • Voolukatkestus (max)
    282W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    1242-1136
    GA16JT17247
  • Töötemperatuur
    175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • FET tüüp
    -
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    -
  • Vooluallikas (Vdss)
    1700V
  • Täpsem kirjeldus
    1700V 16A (Tc) (90°C) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc) (90°C)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "GA16JT17-247" seotud tooted.
GA1210Y824MXJAR31G

GA1210Y824MXJAR31G

Kirjeldus: CAP CER 0.82UF 16V X7R 1210

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1812A101FBAAT31G

GA1812A101FBAAT31G

Kirjeldus: CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 1812

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1210Y824MXJAT31G

GA1210Y824MXJAT31G

Kirjeldus: CAP CER 0.82UF 16V X7R 1210

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1812A101FBBAR31G

GA1812A101FBBAR31G

Kirjeldus: CAP CER 100PF 100V C0G/NP0 1812

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1812A101FBGAT31G

GA1812A101FBGAT31G

Kirjeldus: CAP CER 100PF 1KV C0G/NP0 1812

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1812A101FBCAT31G

GA1812A101FBCAT31G

Kirjeldus: CAP CER 100PF 200V C0G/NP0 1812

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1812A101FBCAR31G

GA1812A101FBCAR31G

Kirjeldus: CAP CER 100PF 200V C0G/NP0 1812

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA16B02

GA16B02

Kirjeldus: SSR RELAY SPST-NO 3.5A 24-280V

Tootjad: Crydom
Laos
RFQ
GA1210Y824MBJAT31G

GA1210Y824MBJAT31G

Kirjeldus: CAP CER 0.82UF 16V X7R 1210

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1210Y824MBXAT31G

GA1210Y824MBXAT31G

Kirjeldus: CAP CER 0.82UF 25V X7R 1210

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA15IDDJT22-FR4

GA15IDDJT22-FR4

Kirjeldus: BOARD GATE DRIVER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
GA1210Y824MXAAR31G

GA1210Y824MXAAR31G

Kirjeldus: CAP CER 0.82UF 50V X7R 1210

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1812A101FBGAR31G

GA1812A101FBGAR31G

Kirjeldus: CAP CER 100PF 1KV C0G/NP0 1812

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1812A101FBEAR31G

GA1812A101FBEAR31G

Kirjeldus: CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1812

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1210Y824MXXAT31G

GA1210Y824MXXAT31G

Kirjeldus: CAP CER 0.82UF 25V X7R 1210

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1210Y824MXAAT31G

GA1210Y824MXAAT31G

Kirjeldus: CAP CER 0.82UF 50V X7R 1210

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1210Y824MXXAR31G

GA1210Y824MXXAR31G

Kirjeldus: CAP CER 0.82UF 25V X7R 1210

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1812A101FBBAT31G

GA1812A101FBBAT31G

Kirjeldus: CAP CER 100PF 100V C0G/NP0 1812

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1812A101FBEAT31G

GA1812A101FBEAT31G

Kirjeldus: CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1812

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA1812A101FBAAR31G

GA1812A101FBAAR31G

Kirjeldus: CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 1812

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.