Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GA20JT12-263
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1912457GA20JT12-263 piltGeneSiC Semiconductor

GA20JT12-263

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$42.13
10+
$38.974
50+
$35.814
100+
$33.286
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GA20JT12-263
  • Tootja / bränd
    GeneSiC Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS SJT 1200V 45A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GA20JT12-263.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (max)
    -
  • Tehnoloogia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Pakkuja seadme pakett
    D2PAK (7-Lead)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 20A
  • Voolukatkestus (max)
    282W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Muud nimed
    1242-1189
    GA20JT12-247ISO
    GA20JT12247ISO
  • Töötemperatuur
    175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3091pF @ 800V
  • FET tüüp
    -
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    -
  • Vooluallikas (Vdss)
    1200V
  • Täpsem kirjeldus
    1200V 45A (Tc) 282W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    45A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "GA20JT12-263" seotud tooted.
GA200SA60U

GA200SA60U

Kirjeldus: IGBT UFAST 600V 100A SOT227

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA243QR7E2222MW01L

GA243QR7E2222MW01L

Kirjeldus: CAP CER 2200PF 250VAC X7R 1812

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
GA200-015WD

GA200-015WD

Kirjeldus: SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
GA242QR7E2102MW01L

GA242QR7E2102MW01L

Kirjeldus: CAP CER 1000PF 250VAC X7R 1808

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
GA200-001PD

GA200-001PD

Kirjeldus: SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
GA2.2K3A1IA

GA2.2K3A1IA

Kirjeldus: THERM NTC 2.252KOHM 3976K BEAD

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
GA243DR7E2473MW01L

GA243DR7E2473MW01L

Kirjeldus: CAP CER 0.047UF 250VAC X7R 1812

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
GA243QR7E2223MW01L

GA243QR7E2223MW01L

Kirjeldus: CAP CER 0.022UF 250VAC X7R 1812

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
GA200-010WD

GA200-010WD

Kirjeldus: SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
GA243QR7E2332MW01L

GA243QR7E2332MW01L

Kirjeldus: CAP CER 3300PF 250VAC X7R 1812

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
GA243DR7E2472MW01L

GA243DR7E2472MW01L

Kirjeldus: CAP CER 4700PF 250VAC X7R 1812

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
GA20SICP12-247

GA20SICP12-247

Kirjeldus: TRANS SJT 1200V 45A TO247

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
GA200SA60S

GA200SA60S

Kirjeldus: IGBT STD 600V 100A SOT227

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GA20JT12-247

GA20JT12-247

Kirjeldus: TRANS SJT 1.2KV 20A

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
GA200-005WD

GA200-005WD

Kirjeldus: SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
GA2.2K3D210

GA2.2K3D210

Kirjeldus: THERM NTC 2.252KOHM 3976K BEAD

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
GA20SICP12-263

GA20SICP12-263

Kirjeldus: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
GA201AE3

GA201AE3

Kirjeldus: SCR

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
GA243QR7E2103MW01L

GA243QR7E2103MW01L

Kirjeldus: CAP CER 10000PF 250VAC X7R 1812

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
GA242QR7E2471MW01L

GA242QR7E2471MW01L

Kirjeldus: CAP CER 470PF 250VAC X7R 1808

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.