Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > GAP3SLT33-220FP
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5788013GAP3SLT33-220FP piltGeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-220FP

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$17.67
10+
$16.065
25+
$14.86
100+
$13.655
250+
$12.45
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GAP3SLT33-220FP
  • Tootja / bränd
    GeneSiC Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GAP3SLT33-220FP.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.7V @ 300mA
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    3300V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220FP
  • Kiirus
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    0ns
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-2 Full Pack
  • Muud nimed
    1242-1183
    GAP3SLT33220FP
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Silicon Carbide Schottky
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 3300V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    300mA
  • Mahtuvus @ Vr, F
    42pF @ 1V, 1MHz
  • Baasosa number
    GAP3SLT33

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "GAP3SLT33-220FP" seotud tooted.
SFS1003GHMNG

SFS1003GHMNG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
LL4002G L0

LL4002G L0

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A MELF

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GAP9

GAP9

Kirjeldus: FRONT SAFETY COVER CC9-150

Tootjad: Carlo Gavazzi
Laos
RFQ
MBR1690HC0G

MBR1690HC0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 90V 16A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GAP185

GAP185

Kirjeldus: FRONT SAFETY COVER CC185-800

Tootjad: Carlo Gavazzi
Laos
RFQ
FESF16HTHE3/45

FESF16HTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 16A ITO220AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
RS1M M2G

RS1M M2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GAP05SLT80-220

GAP05SLT80-220

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
CDBF00340-HF

CDBF00340-HF

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 1005

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
BAV101 L1G

BAV101 L1G

Kirjeldus: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S1PMHE3/85A

S1PMHE3/85A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO220AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SURS8140T3G-VF01

SURS8140T3G-VF01

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
TSF20H120C-S C0G

TSF20H120C-S C0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 120V 10A ITO220AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
UH10FT-E3/4W

UH10FT-E3/4W

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG20GHE3_A/I

BYG20GHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
CDSV-21-G

CDSV-21-G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
JANTX1N5804URS

JANTX1N5804URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
ESH1PC-M3/84A

ESH1PC-M3/84A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.