Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > GB50SLT12-247
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1504988GB50SLT12-247 piltGeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$107.46
10+
$100.748
25+
$96.046
100+
$90.673
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GB50SLT12-247
  • Tootja / bränd
    GeneSiC Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GB50SLT12-247.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    50A
  • Pinge - jaotus
    TO-247AC
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Tube
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    2940pF @ 1V, 1MHz
  • Polarisatsioon
    TO-247-2
  • Muud nimed
    1242-1179
    GB50SLT12247
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    0ns
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Tootja Partii number
    GB50SLT12-247
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A Through Hole TO-247AC
  • Dioodide seadistamine
    1mA @ 1200V
  • Kirjeldus
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.8V @ 50A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    1200V (1.2kV)
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "GB50SLT12-247" seotud tooted.
SD103AWS-TP

SD103AWS-TP

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
S3K-E3/57T

S3K-E3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES1D-TP

ES1D-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Tootjad: Micro Commercial Co
Laos
RFQ
SB550A-E3/54

SB550A-E3/54

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SBR5E60P5-7D

SBR5E60P5-7D

Kirjeldus: DIODE SBR 60V 5A POWERDI5

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
VS-40HFR40M

VS-40HFR40M

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AU3PJHM3/86A

AU3PJHM3/86A

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
RS3K V7G

RS3K V7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
S3MB

S3MB

Kirjeldus: DIODE GP 1000V 3A SMB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SK310BE3/TR13

SK310BE3/TR13

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMB

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
FFPF15S60STU

FFPF15S60STU

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
AS3PKHM3_A/I

AS3PKHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 2.1A TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4006G

1N4006G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
S15DLWHRVG

S15DLWHRVG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1.5A SOD123W

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RS2MAHM2G

RS2MAHM2G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
BYT51D-TR

BYT51D-TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SR206HA0G

SR206HA0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ESH2PBHE3/85A

ESH2PBHE3/85A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-1N3208R

VS-1N3208R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 15A DO203AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.