Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - massiivid > MBR60035CT
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1249128MBR60035CT piltGeneSiC Semiconductor

MBR60035CT

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
25+
$80.865
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MBR60035CT
  • Tootja / bränd
    GeneSiC Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.MBR60035CT.pdf
    2.MBR60035CT.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    750mV @ 300A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    35V
  • Pakkuja seadme pakett
    Twin Tower
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    Twin Tower
  • Muud nimed
    MBR60035CTGN
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    4 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Schottky
  • Dioodide seadistamine
    1 Pair Common Cathode
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 300A Chassis Mount Twin Tower
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1mA @ 20V
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    300A

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MBR60035CT" seotud tooted.
MBR60040CTL

MBR60040CTL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60045CTL

MBR60045CTL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60020CTR

MBR60020CTR

Kirjeldus: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60020CTRL

MBR60020CTRL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60035CTL

MBR60035CTL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60020CTL

MBR60020CTL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60030CT

MBR60030CT

Kirjeldus: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60040CTR

MBR60040CTR

Kirjeldus: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR600200CTR

MBR600200CTR

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60040CT

MBR60040CT

Kirjeldus: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60045CT

MBR60045CT

Kirjeldus: DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60045CTR

MBR60045CTR

Kirjeldus: DIODE MODULE 45V 300A 2TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60030CTR

MBR60030CTR

Kirjeldus: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60040CTRL

MBR60040CTRL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR600200CT

MBR600200CT

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60030CTRL

MBR60030CTRL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60030CTL

MBR60030CTL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60020CT

MBR60020CT

Kirjeldus: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60035CTR

MBR60035CTR

Kirjeldus: DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MBR60035CTRL

MBR60035CTRL

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.