Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - massiivid > MSRT25060(A)
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
558937MSRT25060(A) piltGeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
25+
$56.388
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MSRT25060(A)
  • Tootja / bränd
    GeneSiC Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    MSRT25060(A).pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.2V @ 250A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Pakkuja seadme pakett
    Three Tower
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    Three Tower
  • Muud nimed
    MSRT25060(A)GN
    MSRT25060A
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Dioodide seadistamine
    1 Pair Common Cathode
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 250A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    15µA @ 600V
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    250A (DC)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MSRT25060(A)" seotud tooted.
MSRTA300140(A)D

MSRTA300140(A)D

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRT20060(A)D

MSRT20060(A)D

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRT20080(A)D

MSRT20080(A)D

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRT250160(A)

MSRT250160(A)

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRTA20060(A)D

MSRTA20060(A)D

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRTA200140(A)D

MSRTA200140(A)D

Kirjeldus: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRTA200160(A)D

MSRTA200160(A)D

Kirjeldus: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRT20060(A)

MSRT20060(A)

Kirjeldus: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRT200160(A)D

MSRT200160(A)D

Kirjeldus: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRT25080(A)

MSRT25080(A)

Kirjeldus: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRT250100(A)

MSRT250100(A)

Kirjeldus: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRTA20080(A)D

MSRTA20080(A)D

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRTA300120(A)D

MSRTA300120(A)D

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRT200160(A)

MSRT200160(A)

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRT250120(A)

MSRT250120(A)

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRT20080(A)

MSRT20080(A)

Kirjeldus: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRTA300100(A)D

MSRTA300100(A)D

Kirjeldus: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRT250140(A)

MSRT250140(A)

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRTA200120(A)D

MSRTA200120(A)D

Kirjeldus: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MSRTA200100(A)D

MSRTA200100(A)D

Kirjeldus: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.