Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - massiivid > MURT10005R
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1112092MURT10005R piltGeneSiC Semiconductor

MURT10005R

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
50+
$59.119
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MURT10005R
  • Tootja / bränd
    GeneSiC Semiconductor
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.MURT10005R.pdf
    2.MURT10005R.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.3V @ 50A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    50V
  • Pakkuja seadme pakett
    Three Tower
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    75ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    Three Tower
  • Muud nimed
    MURT10005RGN
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    4 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Dioodide seadistamine
    1 Pair Common Anode
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    25µA @ 50V
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    100A (DC)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MURT10005R" seotud tooted.
MURT10040R

MURT10040R

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MURT10010

MURT10010

Kirjeldus: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MURS360SHE3_A/H

MURS360SHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MURS3GB-TP

MURS3GB-TP

Kirjeldus: 3A,400V, SUPER FAST RECOVERY REC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
MURT10040

MURT10040

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MURT10060

MURT10060

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MURT10005

MURT10005

Kirjeldus: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MURS3G-TP

MURS3G-TP

Kirjeldus: 3A,400V, SUPER FAST RECOVERY REC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
MURS360SHE3_A/I

MURS360SHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MURT10060R

MURT10060R

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MURS360SHE3/52T

MURS360SHE3/52T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MURT20005

MURT20005

Kirjeldus: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MURT20005R

MURT20005R

Kirjeldus: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MURS480ET3G

MURS480ET3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 4A SMC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MURT10020R

MURT10020R

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MURT10020

MURT10020

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MURS360T3G

MURS360T3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MURT10010R

MURT10010R

Kirjeldus: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
MURS3JB-TP

MURS3JB-TP

Kirjeldus: 3A,600V, SUPER FAST RECOVERY REC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
MURS360SHE3/5BT

MURS360SHE3/5BT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.