Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > 70V658S12BF
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
393774670V658S12BF piltIDT (Integrated Device Technology)

70V658S12BF

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
14+
$93.999
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    70V658S12BF
  • Tootja / bränd
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    1.70V658S12BF.pdf
    2.70V658S12BF.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    12ns
  • Pinge - varustus
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tehnoloogia
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Pakkuja seadme pakett
    208-CABGA (15x15)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    208-LFBGA
  • Muud nimed
    IDT70V658S12BF
    IDT70V658S12BF-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    2Mb (64K x 36)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    SRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 12ns 208-CABGA (15x15)
  • Baasosa number
    IDT70V658
  • Juurdepääsuaeg
    12ns

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Saatmine
Makse
Järgnev on "70V658S12BF" seotud tooted.
70V658S12BFGI

70V658S12BFGI

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S10BF8

70V658S10BF8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S15BC

70V658S15BC

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S12BFI8

70V658S12BFI8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S10DRG

70V658S10DRG

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S10BFG

70V658S10BFG

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S12BFI

70V658S12BFI

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S12BC8

70V658S12BC8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S12BCI8

70V658S12BCI8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S15BC8

70V658S15BC8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S12DR

70V658S12DR

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S12BFGI8

70V658S12BFGI8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S12BF8

70V658S12BF8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S10BFG8

70V658S10BFG8

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S12BCI

70V658S12BCI

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S12BC

70V658S12BC

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S10BF

70V658S10BF

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S10DR

70V658S10DR

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S12DRI

70V658S12DRI

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
70V658S15BF

70V658S15BF

Kirjeldus: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.