Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > IS43DR86400C-3DBI-TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6527866

IS43DR86400C-3DBI-TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IS43DR86400C-3DBI-TR
  • Tootja / bränd
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    IS43DR86400C-3DBI-TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    60-TWBGA (8x10.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    60-TFBGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (64M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA (8x10.5)
  • Kellade sagedus
    333MHz
  • Juurdepääsuaeg
    450ps

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IS43DR86400C-3DBI-TR" seotud tooted.
IS43DR82560C-25DBLI

IS43DR82560C-25DBLI

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400D-25DBLI-TR

IS43DR86400D-25DBLI-TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR82560C-25DBLI-TR

IS43DR82560C-25DBLI-TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR82560C-3DBLI

IS43DR82560C-3DBLI

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400D-3DBI-TR

IS43DR86400D-3DBI-TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400C-25DBL

IS43DR86400C-25DBL

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400C-3DBL

IS43DR86400C-3DBL

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400D-3DBLI

IS43DR86400D-3DBLI

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR82560C-3DBL

IS43DR82560C-3DBL

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400C-25DBLI

IS43DR86400C-25DBLI

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400C-3DBLI

IS43DR86400C-3DBLI

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400C-25DBL-TR

IS43DR86400C-25DBL-TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400C-3DBLI-TR

IS43DR86400C-3DBLI-TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400D-3DBLI-TR

IS43DR86400D-3DBLI-TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400C-3DBI

IS43DR86400C-3DBI

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400C-25DBLI-TR

IS43DR86400C-25DBLI-TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400D-25DBLI

IS43DR86400D-25DBLI

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400C-3DBL-TR

IS43DR86400C-3DBL-TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR86400D-3DBI

IS43DR86400D-3DBI

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
IS43DR82560C-3DBLI-TR

IS43DR82560C-3DBLI-TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA

Tootjad: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.