Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - massiivid > DHG100X1200NA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2080470DHG100X1200NA piltIXYS Corporation

DHG100X1200NA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10+
$21.923
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DHG100X1200NA
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227B
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DHG100X1200NA.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    2.16V @ 50A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1200V
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    75ns
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Dioodide seadistamine
    2 Independent
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Array 2 Independent Standard 1200V 50A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    50A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DHG100X1200NA" seotud tooted.
DHG40C600HB

DHG40C600HB

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG10I600PM

DHG10I600PM

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG10I1200PM

DHG10I1200PM

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG10I1800PA

DHG10I1800PA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG30I600HA

DHG30I600HA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG30IM600PC

DHG30IM600PC

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG20I600PA

DHG20I600PA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG10I1200PA

DHG10I1200PA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG30I600PA

DHG30I600PA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG20C600QB

DHG20C600QB

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 10A TO3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG20C600PB

DHG20C600PB

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG10C600PB

DHG10C600PB

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG40C1200HB

DHG40C1200HB

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1200V 20A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG20I600HA

DHG20I600HA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO247

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
DHG100X600NA

DHG100X600NA

Kirjeldus: DIODE MODULE 600V 100A SOT227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG30I1200HA

DHG30I1200HA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
DHG20I1200HA

DHG20I1200HA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO247

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
DHG10I600PA

DHG10I600PA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DHG20I1200PA

DHG20I1200PA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
DHG20C1200PB

DHG20C1200PB

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1200V 10A TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.