Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > DNA30E2200PA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3150215DNA30E2200PA piltIXYS

DNA30E2200PA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
50+
$3.189
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DNA30E2200PA
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DNA30E2200PA.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    30A
  • Pinge - jaotus
    TO-220AC
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Tube
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    7pF @ 700V, 1MHz
  • Polarisatsioon
    TO-220-2
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    DNA30E2200PA
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 2200V (2.2kV) 30A Through Hole TO-220AC
  • Dioodide seadistamine
    40µA @ 2200V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.26V @ 30A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    2200V (2.2kV)
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "DNA30E2200PA" seotud tooted.
ACGRAT102L-HF

ACGRAT102L-HF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A 2010

Tootjad: Comchip Technology
Laos
RFQ
MBR735HC0G

MBR735HC0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
FFPF20UP30STU

FFPF20UP30STU

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 20A TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
B360BQ-13-F

B360BQ-13-F

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DNA30E2200FE

DNA30E2200FE

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
DNA30E2200PC

DNA30E2200PC

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
JANTX1N4459R

JANTX1N4459R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 15A DO203AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
CLL914 TR

CLL914 TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD80

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
DNA30E2200PC-TUB

DNA30E2200PC-TUB

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
SR1503 A0G

SR1503 A0G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 30V 15A R-6

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
VS-19TQ015STRR-M3

VS-19TQ015STRR-M3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 19A 15V D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
DNA30E2200PZ

DNA30E2200PZ

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DNA30EM2200PC

DNA30EM2200PC

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
1N1341C

1N1341C

Kirjeldus: STANDARD RECTIFIER

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
ES1A-13

ES1A-13

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
VSSA310S-E3/5AT

VSSA310S-E3/5AT

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SS23LHRTG

SS23LHRTG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
DNA30EM2200PZ

DNA30EM2200PZ

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
APD240KDTR-G1

APD240KDTR-G1

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD123

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
BYT12P-1000

BYT12P-1000

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.