Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > DSEP12-12B
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2254849DSEP12-12B piltIXYS Corporation

DSEP12-12B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.38
50+
$1.916
100+
$1.725
500+
$1.341
1000+
$1.111
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DSEP12-12B
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    DSEP12-12B.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    3.25V @ 15A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1200V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AC
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    HiPerFRED™
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    35ns
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-2
  • Muud nimed
    501129
    DSEP1212B
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 1200V 15A Through Hole TO-220AC
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    15A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22
Saatmine
Makse
Järgnev on "DSEP12-12B" seotud tooted.
DSEI8-06AS-TUBE

DSEI8-06AS-TUBE

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEP15-06A

DSEP15-06A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEK60-02A

DSEK60-02A

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 200V 34A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEP15-12CR

DSEP15-12CR

Kirjeldus: DIODE GP 1.2KV 15A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEP29-06A

DSEP29-06A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEI8-06A

DSEI8-06A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEP15-03A

DSEP15-03A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220AC

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
DSEK60-02AR

DSEK60-02AR

Kirjeldus: DIODE ARRAY 200V 34A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEP15-06B

DSEP15-06B

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEP29-06BS

DSEP29-06BS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
DSEI8-06AS

DSEI8-06AS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEK60-06A

DSEK60-06A

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEP29-06AS-TUBE

DSEP29-06AS-TUBE

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
DSEP29-06AS

DSEP29-06AS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEI60-12A

DSEI60-12A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 52A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEP29-06B

DSEP29-06B

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
DSEI8-06AS-TUB

DSEI8-06AS-TUB

Kirjeldus: DIODE ARRAY

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEP29-03A

DSEP29-03A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 300V 30A TO220AC

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
DSEK60-12A

DSEK60-12A

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1200V 26A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
DSEP12-12A

DSEP12-12A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.