Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > FIO50-12BD
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6395776

FIO50-12BD

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FIO50-12BD
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FIO50-12BD.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 30A
  • Testimise tingimus
    600V, 30A, 39 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    -
  • Switching Energy
    4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOPLUS i4-PAC™
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    150ns
  • Võimsus - maks
    200W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    i4-Pac™-5
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Väravad
    150nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    50A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FIO50-12BD" seotud tooted.
IRG4RC20FTRLPBF

IRG4RC20FTRLPBF

Kirjeldus: IGBT 600V 22A 66W DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRG4BC40FPBF

IRG4BC40FPBF

Kirjeldus: IGBT 600V 49A 160W TO220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXDA20N120AS-TUB

IXDA20N120AS-TUB

Kirjeldus: IGBT

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IRGH4610DPBF

IRGH4610DPBF

Kirjeldus: IGBT 600V 8PQFN

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
STGWT80V60F

STGWT80V60F

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 469W TO-3P

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGFW30H65FB

STGFW30H65FB

Kirjeldus: IGBT 650V 60A 58W TO3PF

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGB10NC60HDT4

STGB10NC60HDT4

Kirjeldus: IGBT 600V 20A 65W D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IXGA30N60C3D4

IXGA30N60C3D4

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 220W TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGB200N60B3

IXGB200N60B3

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 1250W PLUS264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
SGS5N60RUFDTU

SGS5N60RUFDTU

Kirjeldus: IGBT 600V 8A 35W TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXGK50N60BU1

IXGK50N60BU1

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 300W TO264AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGT32N90B2D1

IXGT32N90B2D1

Kirjeldus: IGBT 900V 64A 300W TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IGW03N120H2FKSA1

IGW03N120H2FKSA1

Kirjeldus: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RGS00TS65DHRC11

RGS00TS65DHRC11

Kirjeldus: ROHM'S IGBT PRODUCTS WILL CONTRI

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRGBC30S

IRGBC30S

Kirjeldus: IGBT STD 600V 34A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RGW80TS65DGC11

RGW80TS65DGC11

Kirjeldus: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RJH65T04BDPMA0#T2F

RJH65T04BDPMA0#T2F

Kirjeldus: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
IXGP8N100

IXGP8N100

Kirjeldus: IGBT 1000V 16A 54W TO220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXSX50N60AU1

IXSX50N60AU1

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 300W PLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXSH35N120A

IXSH35N120A

Kirjeldus: IGBT 1200V 70A 300W TO247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.