Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > IXBR42N170
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2119537IXBR42N170 piltIXYS Corporation

IXBR42N170

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
30+
$32.844
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXBR42N170
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXBR42N170.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1700V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.9V @ 15V, 42A
  • Testimise tingimus
    -
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    -
  • Switching Energy
    -
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOPLUS247™
  • Seeria
    BIMOSFET™
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    1.32µs
  • Võimsus - maks
    200W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    ISOPLUS247™
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    -
  • Väravad
    188nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT 1700V 57A 200W Through Hole ISOPLUS247™
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    300A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    57A
  • Baasosa number
    IXB*42N170

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXBR42N170" seotud tooted.
IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

Kirjeldus: IGBT 3600V 70A TO-268HV

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBOD2-15R

IXBOD2-15R

Kirjeldus: THYRISTOR RADIAL

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBT2N250

IXBT2N250

Kirjeldus: IGBT 2500V 5A 32W TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBOD2-08

IXBOD2-08

Kirjeldus: BREAKOVER DIODE

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBT24N170

IXBT24N170

Kirjeldus: IGBT 1700V 60A 250W TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBOD2-10

IXBOD2-10

Kirjeldus: BREAKOVER DIODE

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBOD2-12

IXBOD2-12

Kirjeldus: BREAKOVER DIODE

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBT16N170A

IXBT16N170A

Kirjeldus: IGBT 1700V 16A 150W TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBT20N300

IXBT20N300

Kirjeldus: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV

Kirjeldus: IGBT

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBOD2-56R

IXBOD2-56R

Kirjeldus: THYRISTOR RADIAL

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBOD2-11

IXBOD2-11

Kirjeldus: BREAKOVER DIODE

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

Kirjeldus: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBOD2-09

IXBOD2-09

Kirjeldus: BREAKOVER DIODE

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBT10N170

IXBT10N170

Kirjeldus: IGBT 1700V 20A 140W TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

Kirjeldus: IGBT 3000V 50A 250W TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBP5N160G

IXBP5N160G

Kirjeldus: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBT12N300

IXBT12N300

Kirjeldus: IGBT 3000V 30A 160W TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBOD2-50R

IXBOD2-50R

Kirjeldus: THYRISTOR RADIAL

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXBOD2-13

IXBOD2-13

Kirjeldus: BREAKOVER DIODE

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.