Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > IXDR35N60BD1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
956096IXDR35N60BD1 piltIXYS Corporation

IXDR35N60BD1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
30+
$7.835
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXDR35N60BD1
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXDR35N60BD1.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 35A
  • Testimise tingimus
    300V, 35A, 10 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    -
  • Switching Energy
    1.6mJ (on), 800µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOPLUS247™
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    40ns
  • Võimsus - maks
    125W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    ISOPLUS247™
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Väravad
    140nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT NPT 600V 38A 125W Through Hole ISOPLUS247™
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    48A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    38A
  • Baasosa number
    IXD*35N60

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXDR35N60BD1" seotud tooted.
IXDN614YI

IXDN614YI

Kirjeldus: 14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
RFQ
IXDN630MYI

IXDN630MYI

Kirjeldus: IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO263

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
RFQ
IXDP631PI

IXDP631PI

Kirjeldus: IC GENERATOR DGTL DEADTIME 8DIP

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDP35N60B

IXDP35N60B

Kirjeldus: IGBT 600V 60A 250W TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDN614SITR

IXDN614SITR

Kirjeldus: 14A 8SOIC EXP MTL NON INVERTING

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
RFQ
IXDP20N60BD1

IXDP20N60BD1

Kirjeldus: IGBT 600V 32A 140W TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDP610PI

IXDP610PI

Kirjeldus: IC PWM CTRL BUS DIGITAL 18DIP

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDN630CI

IXDN630CI

Kirjeldus: IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
RFQ
IXDS502D1B

IXDS502D1B

Kirjeldus: IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDN630MCI

IXDN630MCI

Kirjeldus: IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
RFQ
IXDN630YI

IXDN630YI

Kirjeldus: IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO263

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
RFQ
IXDR30N120D1

IXDR30N120D1

Kirjeldus: IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDR30N120

IXDR30N120

Kirjeldus: IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDT30N120

IXDT30N120

Kirjeldus: IGBT 1200V 60A 300W TO268AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDR502D1B

IXDR502D1B

Kirjeldus: IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDP20N60B

IXDP20N60B

Kirjeldus: IGBT 600V 32A 140W TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDS430SI

IXDS430SI

Kirjeldus: IC DRVR MOSF/IGBT 30A 28-SOIC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDN614SI

IXDN614SI

Kirjeldus: 14A 8SOIC EXP MTL NON INVERTING

Tootjad: IXYS Integrated Circuits Division
Laos
RFQ
IXDP630PI

IXDP630PI

Kirjeldus: IC INVERTER INTERFACE 18-DIP

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXDN75N120

IXDN75N120

Kirjeldus: IGBT 1200V 150A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.