Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > IXEH25N120
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5548826IXEH25N120 piltIXYS Corporation

IXEH25N120

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXEH25N120
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 36A 200W TO247AD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXEH25N120.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 25A
  • Testimise tingimus
    600V, 20A, 68 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    -
  • Switching Energy
    4.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247AD
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    200W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-3P-3 Full Pack
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Väravad
    100nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT NPT 1200V 36A 200W Through Hole TO-247AD
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    36A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXEH25N120" seotud tooted.
AOK30B135D2

AOK30B135D2

Kirjeldus: IGBT 1350V 30A TO-247

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IXE611S1T/R

IXE611S1T/R

Kirjeldus: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXSH45N120

IXSH45N120

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 300W TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
AUIRGF65G40D0

AUIRGF65G40D0

Kirjeldus: IGBT 600V 62A 625W TO247

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXEL40N400

IXEL40N400

Kirjeldus: IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXER60N120

IXER60N120

Kirjeldus: IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXER35N120D1

IXER35N120D1

Kirjeldus: IGBT 1200V 50A 200W TO247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXEN60N120D1

IXEN60N120D1

Kirjeldus: IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXEH40N120D1

IXEH40N120D1

Kirjeldus: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXEN60N120

IXEN60N120

Kirjeldus: IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXEH25N120D1

IXEH25N120D1

Kirjeldus: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXEH40N120

IXEH40N120

Kirjeldus: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXE611S1

IXE611S1

Kirjeldus: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
AIKW75N60CTXKSA1

AIKW75N60CTXKSA1

Kirjeldus: IC DISCRETE 600V TO247-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXGP20N120B3

IXGP20N120B3

Kirjeldus: IGBT 1200V 36A 180W TO220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
AUIRGPS4067D1

AUIRGPS4067D1

Kirjeldus: IGBT 600V 240A 750W TO-274

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXYX120N120B3

IXYX120N120B3

Kirjeldus: IGBT

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
STGF10NC60HD

STGF10NC60HD

Kirjeldus: IGBT 600V 9A 24W TO220FP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STGD10NC60HT4

STGD10NC60HT4

Kirjeldus: IGBT 600V 20A 60W DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IXE611P1

IXE611P1

Kirjeldus: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.