Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFA4N100P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1631997IXFA4N100P piltIXYS Corporation

IXFA4N100P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
50+
$2.665
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFA4N100P
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFA4N100P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263 (IXFA)
  • Seeria
    HiPerFET™, PolarP2™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.3 Ohm @ 2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    150W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1456pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFA4N100P" seotud tooted.
IXFA30N25X3

IXFA30N25X3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA4N100Q

IXFA4N100Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA34N65X2

IXFA34N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 34A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA60N25X3

IXFA60N25X3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA30N60X

IXFA30N60X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA38N30X3

IXFA38N30X3

Kirjeldus: FET N-CHANNEL

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA3N120

IXFA3N120

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA6N120P TRL

IXFA6N120P TRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA5N100P

IXFA5N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA4N60P3

IXFA4N60P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA3N80

IXFA3N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA6N120P

IXFA6N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA270N06T3

IXFA270N06T3

Kirjeldus: 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA56N30X3

IXFA56N30X3

Kirjeldus: 300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA5N50P3

IXFA5N50P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5A TO-263AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA3N120TRL

IXFA3N120TRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA36N30P3

IXFA36N30P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA4N85X

IXFA4N85X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA36N20X3

IXFA36N20X3

Kirjeldus: 200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFA4N100Q-TRL

IXFA4N100Q-TRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.