Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFH100N30X3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4098328IXFH100N30X3 piltIXYS Corporation

IXFH100N30X3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$12.02
30+
$9.854
120+
$8.893
510+
$7.451
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFH100N30X3
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFH100N30X3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 4mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Seeria
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    480W (Tc)
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7.66nF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    300V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 300V 100A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFH100N30X3" seotud tooted.
IXFE73N30Q

IXFE73N30Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFG55N50

IXFG55N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 48A ISO264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFE48N50Q

IXFE48N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH110N10P

IXFH110N10P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 110A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFE50N50

IXFE50N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFE48N50QD2

IXFE48N50QD2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH102N15T

IXFH102N15T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 102A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH110N15T2

IXFH110N15T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 110A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH10N100P

IXFH10N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH110N25T

IXFH110N25T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 110A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFE55N50

IXFE55N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH10N100Q

IXFH10N100Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH100N25P

IXFH100N25P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 100A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFF24N100

IXFF24N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFE48N50QD3

IXFE48N50QD3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH10N90

IXFH10N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH10N100

IXFH10N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFE80N50

IXFE80N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH10N80P

IXFH10N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 10A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH11N80

IXFH11N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.