IXFH60N65X2-4

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

30+

$9.43

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

IXFH60N65X2-4
Tootja / bränd

IXYS / Littelfuse
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH
Lead Free status / RoHS staatus
Andmelehed

IXFH60N65X2-4.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA
Vgs (max)

±30V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

TO-247-4L
Seeria

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 30A, 10V
Voolukatkestus (max)

780W (Tc)
Pakett / kott

TO-247-4
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Through Hole
Tootja Standardne pliiaeg

24 Weeks
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

6300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

108nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

10V
Vooluallikas (Vdss)

650V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Järgnev on "IXFH60N65X2-4" seotud tooted.

IXFH6N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH6N120

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH66N20Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 66A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH60N60X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 60A TO247

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH60N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 60A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH58N20Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH69N30P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 69A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH67N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH6N100Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH6N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH58N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH60N50P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 60A TO247

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH52N50P2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 52A TO247

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH56N30X3

Kirjeldus: 300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH52N30Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH6N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH60N25Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH60N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH67N10Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD

Tootjad: IXYS Corporation

Laos

RFQ

IXFH6N100F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Tootjad: IXYS RF

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

IXFH60N65X2-4

Küsi hinnapakkumist

võrdlushind (USA dollarites)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

IXFH6N90

IXFH6N120

IXFH66N20Q

IXFH60N60X

IXFH60N20

IXFH58N20Q

IXFH69N30P

IXFH67N10

IXFH6N100Q

IXFH6N120P

IXFH58N20

IXFH60N50P3

IXFH52N50P2

IXFH56N30X3

IXFH52N30Q

IXFH6N100

IXFH60N25Q

IXFH60N65X2

IXFH67N10Q

IXFH6N100F

Vali keel

Praegune keel