Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFI7N80P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
427586

IXFI7N80P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFI7N80P
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFI7N80P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-262 (I2PAK)
  • Seeria
    HiPerFET™, PolarHT™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.44 Ohm @ 3.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    200W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1890pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 7A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFI7N80P" seotud tooted.
IXFH96N15P

IXFH96N15P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 96A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFJ20N85X

IXFJ20N85X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFJ40N30Q

IXFJ40N30Q

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 300V 40A TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH90N20X3

IXFH90N20X3

Kirjeldus: 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH88N20Q

IXFH88N20Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 88A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFJ52N30Q

IXFJ52N30Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFJ80N20Q

IXFJ80N20Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH8N80

IXFH8N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFJ32N50Q

IXFJ32N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 32A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH88N30P

IXFH88N30P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 88A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFJ80N10Q

IXFJ80N10Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFJ15N100Q

IXFJ15N100Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFJ40N30

IXFJ40N30

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 40A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH94N30P3

IXFH94N30P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 94A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFJ32N50

IXFJ32N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH9N80Q

IXFH9N80Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 9A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH9N80

IXFH9N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 9A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH94N30T

IXFH94N30T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 94A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFJ26N50P3

IXFJ26N50P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFH96N20P

IXFH96N20P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 96A TO-247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.