Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFN180N10
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3898141IXFN180N10 piltIXYS Corporation

IXFN180N10

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$27.14
10+
$25.105
30+
$23.069
100+
$21.441
250+
$19.677
500+
$18.727
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFN180N10
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFN180N10.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 8mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 500mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    600W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Muud nimed
    479462
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    9100pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    360nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 180A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFN180N10" seotud tooted.
IXFN150N15

IXFN150N15

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN150N10

IXFN150N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN20N120

IXFN20N120

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN180N15P

IXFN180N15P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

Kirjeldus: FET N-CHANNEL

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN210N20P

IXFN210N20P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN200N07

IXFN200N07

Kirjeldus: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN180N07

IXFN180N07

Kirjeldus: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN170N10

IXFN170N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN150N65X2

IXFN150N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN140N30P

IXFN140N30P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN160N30T

IXFN160N30T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN200N10P

IXFN200N10P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

Tootjad: IXYS
Laos
RFQ
IXFN180N20

IXFN180N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN20N120P

IXFN20N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN170N25X3

IXFN170N25X3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN170N30P

IXFN170N30P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.