Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFN40N110P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1847995IXFN40N110P piltIXYS Corporation

IXFN40N110P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10+
$44.98
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFN40N110P
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFN40N110P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    260 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    890W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    19000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    310nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1100V 34A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    34A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFN40N110P" seotud tooted.
IXFN44N50U3

IXFN44N50U3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN44N100Q3

IXFN44N100Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN40N110Q3

IXFN40N110Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN39N90

IXFN39N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN400N15X3

IXFN400N15X3

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN420N10T

IXFN420N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN360N10T

IXFN360N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN38N80Q2

IXFN38N80Q2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN44N60

IXFN44N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN38N100P

IXFN38N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN44N50U2

IXFN44N50U2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN36N60

IXFN36N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN36N110P

IXFN36N110P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN36N100

IXFN36N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN44N50

IXFN44N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN40N90P

IXFN40N90P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN44N50Q

IXFN44N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN44N100P

IXFN44N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.