Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFN66N50Q2
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1472036IXFN66N50Q2 piltIXYS Corporation

IXFN66N50Q2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFN66N50Q2
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFN66N50Q2.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 8mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 500mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    735W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6800pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    199nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 66A (Tc) 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    66A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFN66N50Q2" seotud tooted.
IXFN56N90P

IXFN56N90P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN80N50

IXFN80N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN64N60P

IXFN64N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN55N50F

IXFN55N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

Tootjad: IXYS RF
Laos
RFQ
IXFN66N85X

IXFN66N85X

Kirjeldus: 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN73N30

IXFN73N30

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN80N50Q2

IXFN80N50Q2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN80N50P

IXFN80N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN64N50PD2

IXFN64N50PD2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN60N80P

IXFN60N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN60N60

IXFN60N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN64N50P

IXFN64N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN70N60Q2

IXFN70N60Q2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN55N50

IXFN55N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN70N120SK

IXFN70N120SK

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN64N50PD3

IXFN64N50PD3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN80N48

IXFN80N48

Kirjeldus: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN73N30Q

IXFN73N30Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFN72N55Q2

IXFN72N55Q2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.