Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFN90N30
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5722511IXFN90N30 piltIXYS Corporation

IXFN90N30

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
10+
$27.732
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFN90N30
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 8mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227B
  • Seeria
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33 mOhm @ 45A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    560W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    10000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    360nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    300V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 300V 90A (Tc) 560W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)
IXFN80N50P

IXFN80N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFN80N60P3

IXFN80N60P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFP12N50P

IXFP12N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFN80N50

IXFN80N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFN94N50P2

IXFN94N50P2

Kirjeldus: 500V POLAR2 HIPERFETS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFN80N48

IXFN80N48

Kirjeldus: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFP130N10T

IXFP130N10T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 130A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFN90N85X

IXFN90N85X

Kirjeldus: 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFP10N80P

IXFP10N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 10A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFP12N65X2

IXFP12N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFN73N30Q

IXFN73N30Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFP110N15T2

IXFP110N15T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 110A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFP10N60P

IXFP10N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFN73N30

IXFN73N30

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFN82N60P

IXFN82N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFN80N50Q2

IXFN80N50Q2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFP12N50PM

IXFP12N50PM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 6A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFP102N15T

IXFP102N15T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi