Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFQ12N80P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5291382IXFQ12N80P piltIXYS Corporation

IXFQ12N80P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
30+
$4.037
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFQ12N80P
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFQ12N80P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5.5V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-3P
  • Seeria
    HiPerFET™, PolarHT™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    850 mOhm @ 500mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    360W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2800pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFQ12N80P" seotud tooted.
IXFQ24N50P2

IXFQ24N50P2

Kirjeldus: 500V POLAR2 HIPERFETS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFP8N50PM

IXFP8N50PM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFP90N20X3M

IXFP90N20X3M

Kirjeldus: 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFQ21N50Q

IXFQ21N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFQ14N80P

IXFQ14N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFP8N65X2

IXFP8N65X2

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFP8N85X

IXFP8N85X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFP90N20X3

IXFP90N20X3

Kirjeldus: 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFQ10N80P

IXFQ10N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFP8N50P3

IXFP8N50P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFQ26N50

IXFQ26N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 26A TO-30

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFQ23N60Q

IXFQ23N60Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFP80N25X3

IXFP80N25X3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFQ20N50P3

IXFQ20N50P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFQ120N25X3

IXFQ120N25X3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFQ22N60P3

IXFQ22N60P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 22A TO3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFQ24N60X

IXFQ24N60X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFQ24N50Q

IXFQ24N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFQ140N20X3

IXFQ140N20X3

Kirjeldus: 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFP8N85XM

IXFP8N85XM

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.