Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFR30N110P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3336986IXFR30N110P piltIXYS Corporation

IXFR30N110P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
30+
$29.716
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFR30N110P
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXFR30N110P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOPLUS247™
  • Seeria
    HiPerFET™, PolarP2™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    320W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    ISOPLUS247™
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    13600pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    235nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1100V 16A (Tc) 320W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXFR30N110P" seotud tooted.
IXFR34N80

IXFR34N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR32N50

IXFR32N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR32N50Q

IXFR32N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR26N50Q

IXFR26N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR26N120P

IXFR26N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR26N50

IXFR26N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR24N90P

IXFR24N90P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR36N50P

IXFR36N50P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR25N90

IXFR25N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR26N100P

IXFR26N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR32N100Q3

IXFR32N100Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR32N80P

IXFR32N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR27N80Q

IXFR27N80Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR30N60P

IXFR30N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR24N80P

IXFR24N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR30N50Q

IXFR30N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR24N90Q

IXFR24N90Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR26N60Q

IXFR26N60Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR32N100P

IXFR32N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXFR32N80Q3

IXFR32N80Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.