Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFT14N100
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1360478IXFT14N100 piltIXYS Corporation

IXFT14N100

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFT14N100
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 4mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-268
  • Seeria
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    750 mOhm @ 500mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    360W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 14A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)
IXFT140N10P

IXFT140N10P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT12N90Q

IXFT12N90Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 12A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT12N100Q

IXFT12N100Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT12N100

IXFT12N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT150N25X3HV

IXFT150N25X3HV

Kirjeldus: 250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT16N80P

IXFT16N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 16A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT150N30X3HV

IXFT150N30X3HV

Kirjeldus: 300V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT13N80Q

IXFT13N80Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 13A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT15N80Q

IXFT15N80Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 15A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT150N17T2

IXFT150N17T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT16N120P

IXFT16N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 16A TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT12N100F

IXFT12N100F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Tootjad: IXYS RF
Laos
IXFT15N100Q3

IXFT15N100Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT120N30X3HV

IXFT120N30X3HV

Kirjeldus: 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT120N25X3HV

IXFT120N25X3HV

Kirjeldus: 250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT14N80P

IXFT14N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 14A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT140N20X3HV

IXFT140N20X3HV

Kirjeldus: 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT150N20T

IXFT150N20T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 150A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT15N100Q

IXFT15N100Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT13N100

IXFT13N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi