Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IXFT20N60Q
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4684336IXFT20N60Q piltIXYS Corporation

IXFT20N60Q

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXFT20N60Q
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 4mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-268
  • Seeria
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3300pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 20A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)
IXFT20N100P

IXFT20N100P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT20N80P

IXFT20N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 20A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT23N60Q

IXFT23N60Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT24N50

IXFT24N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 24A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT23N80Q

IXFT23N80Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT18N100Q3

IXFT18N100Q3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT16N80P

IXFT16N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 16A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT17N80Q

IXFT17N80Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3)

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT180N20X3HV

IXFT180N20X3HV

Kirjeldus: 200V/180A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT24N90P

IXFT24N90P

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT21N50Q

IXFT21N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 21A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT24N50Q

IXFT24N50Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 24A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT18N90P

IXFT18N90P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 18A TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT24N80P

IXFT24N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 24A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT16N90Q

IXFT16N90Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 16A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT16N120P

IXFT16N120P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 16A TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT20N80Q

IXFT20N80Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 20A TO-268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT1874 TR

IXFT1874 TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO268

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT220N20X3HV

IXFT220N20X3HV

Kirjeldus: 200V/220A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
IXFT170N25X3HV

IXFT170N25X3HV

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV

Tootjad: IXYS Corporation
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi