Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > IXGL75N250
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1148853IXGL75N250 piltIXYS Corporation

IXGL75N250

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
25+
$88.438
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IXGL75N250
  • Tootja / bränd
    IXYS / Littelfuse
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 2500V 110A 430W I5-PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    IXGL75N250.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    2500V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.9V @ 15V, 75A
  • Testimise tingimus
    -
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    -
  • Switching Energy
    -
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOPLUSi5-Pak™
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    430W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    ISOPLUSi5-Pak™
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    -
  • Väravad
    410nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT 2500V 110A 430W Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    580A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    110A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IXGL75N250" seotud tooted.
IXGM40N60A

IXGM40N60A

Kirjeldus: IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM20N60

IXGM20N60

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM40N60AL

IXGM40N60AL

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGK72N60C3H1

IXGK72N60C3H1

Kirjeldus: IGBT TO264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGK60N60C2D1

IXGK60N60C2D1

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 480W TO264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGK82N120A3

IXGK82N120A3

Kirjeldus: IGBT 1200V 260A 1250W TO264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGK72N60B3H1

IXGK72N60B3H1

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 540W TO264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGK75N250

IXGK75N250

Kirjeldus: IGBT 2500V 170A 780W TO264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGK64N60B3D1

IXGK64N60B3D1

Kirjeldus: IGBT 600V 460W TO264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN100N160A

IXGN100N160A

Kirjeldus: IGBT 200A 1600V SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGL50N60BD1

IXGL50N60BD1

Kirjeldus: IGBT 600V ISOPLUS264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM25N100A

IXGM25N100A

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGK82N120B3

IXGK82N120B3

Kirjeldus: IGBT 1200V 230A 1250W TO264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGK72N60A3H1

IXGK72N60A3H1

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 540W TO264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM17N100A

IXGM17N100A

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGL200N60B3

IXGL200N60B3

Kirjeldus: IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM20N60A

IXGM20N60A

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM40N60

IXGM40N60

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGN100N120

IXGN100N120

Kirjeldus: IGBT 160A 1200V SOT-227B

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IXGM30N60

IXGM30N60

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.